PMN-PT Substrate
Deskripsyon
Ang PMN-PT nga kristal nailhan tungod sa hilabihan ka taas nga electromechanical coupling coefficient, taas nga piezoelectric coefficient, taas nga strain ug ubos nga dielectric nga pagkawala.
Mga kabtangan
| Kemikal nga Komposisyon | ( PbMg 0.33 Nb 0.67)1-x: (PbTiO3)x |
| Istruktura | R3m, Rhombohedral |
| Kinuroskuros | a0 ~ 4.024Å |
| Pagtunaw Point (℃) | 1280 |
| Densidad (g/cm3) | 8.1 |
| Piezoelectric Coefficient d33 | >2000 pC/N |
| Pagkawala sa Dielectric | tan<0.9 |
| Komposisyon | duol sa utlanan sa morphotropic phase |
PMN-PT Substrate Definition
Ang substrate sa PMN-PT nagtumong sa usa ka manipis nga pelikula o wafer nga hinimo sa piezoelectric nga materyal nga PMN-PT.Nagsilbi kini nga suporta nga base o pundasyon alang sa lainlaing mga aparato nga elektroniko o optoelectronic.
Sa konteksto sa PMN-PT, ang usa ka substrate kasagaran usa ka patag nga gahi nga nawong diin ang nipis nga mga lut-od o istruktura mahimong motubo o magdeposito.Ang mga substrate sa PMN-PT sagad nga gigamit sa paghimo sa mga aparato sama sa piezoelectric sensor, actuator, transducers, ug mga tig-ani sa enerhiya.
Kini nga mga substrate naghatag usa ka lig-on nga plataporma alang sa pagtubo o pagdeposito sa dugang nga mga layer o istruktura, nga gitugotan ang mga piezoelectric nga kabtangan sa PMN-PT nga maapil sa mga aparato.Ang manipis nga pelikula o wafer nga porma sa mga substrate sa PMN-PT makahimo sa mga compact ug episyente nga mga aparato nga makabenepisyo gikan sa maayo kaayo nga piezoelectric nga kabtangan sa materyal.
May Kalabutan nga mga Produkto
Ang taas nga lattice matching nagtumong sa pag-align o pagpares sa mga istruktura sa lattice tali sa duha ka lain-laing mga materyales.Sa konteksto sa MCT (mercury cadmium telluride) semiconductors, ang taas nga lattice matching kay gitinguha tungod kay kini nagtugot sa pagtubo sa taas nga kalidad, walay depekto nga epitaxial layers.
Ang MCT usa ka compound nga semiconductor nga materyal nga sagad gigamit sa mga infrared detector ug imaging device.Aron mapadako ang pasundayag sa aparato, hinungdanon nga motubo ang mga layer nga epitaxial sa MCT nga hapit nga katumbas sa istruktura sa lattice sa nagpahiping materyal nga substrate (kasagaran CdZnTe o GaAs).
Pinaagi sa pagkab-ot sa taas nga lattice matching, ang kristal nga pag-align sa taliwala sa mga lut-od gipauswag, ug ang mga depekto ug strain sa interface gipakunhod.Nagdala kini sa mas maayo nga kalidad nga kristal, gipaayo nga elektrikal ug optical nga mga kabtangan, ug gipaayo ang pasundayag sa aparato.
Ang taas nga lattice matching importante alang sa mga aplikasyon sama sa infrared imaging ug sensing, diin bisan ang gagmay nga mga depekto o pagkadili hingpit makadaut sa performance sa device, nga makaapekto sa mga butang sama sa sensitivity, spatial resolution, ug signal-to-noise ratio.
