SiC Substrate
Deskripsyon
Ang Silicon carbide (SiC) usa ka binary compound sa Group IV-IV, kini ang bugtong lig-on nga solid compound sa Group IV sa Periodic Table, Kini usa ka hinungdanon nga semiconductor.Ang SiC adunay maayo kaayo nga thermal, mekanikal, kemikal ug elektrikal nga mga kabtangan, nga naghimo niini nga usa sa labing kaayo nga mga materyales alang sa paghimo sa taas nga temperatura, taas nga frequency, ug taas nga gahum nga elektronik nga mga aparato, ang SiC mahimo usab nga magamit ingon usa ka materyal nga substrate. alang sa GaN-based blue light-emitting diodes.Sa pagkakaron, ang 4H-SiC mao ang mainstream nga mga produkto sa merkado, ug ang conductivity type gibahin sa semi-insulating type ug N type.
Mga kabtangan
| butang | 2 pulgada 4H N-type | ||
| Diametro | 2 ka pulgada (50.8mm) | ||
| Gibag-on | 350+/-25um | ||
| Oryentasyon | off axis 4.0˚ paingon <1120> ± 0.5˚ | ||
| Panguna nga Flat Orientation | <1-100> ± 5° | ||
| Ikaduha nga Flat Oryentasyon | 90.0˚ CW gikan sa Primary Flat ± 5.0˚, Si Face up | ||
| Panguna nga Patag nga Gitas-on | 16 ± 2.0 | ||
| Secondary Flat nga Gitas-on | 8 ± 2.0 | ||
| Grado | Grado sa produksiyon (P) | Grado sa panukiduki (R) | Dummy nga grado (D) |
| Resistivity | 0.015~0.028 Ω·cm | < 0.1 Ω·cm | < 0.1 Ω·cm |
| Densidad sa Micropipe | ≤ 1 micropipe/cm² | ≤ 1 0micropipes/cm² | ≤ 30 micropipe/cm² |
| Pagkagahi sa nawong | Si nawong CMP Ra <0.5nm, C Nawong Ra <1 nm | N/A, magamit nga lugar > 75% | |
| TTV | <8 ug | < 10um | < 15 um |
| pana | < ± 8 um | < ± 10um | < ± 15um |
| Warp | < 15 um | <20 um | <25 um |
| Mga liki | Wala | Cumulative gitas-on ≤ 3 mm | Cumulative gitas-on ≤10mm, |
| Mga garas | ≤ 3 ka garas, natapok | ≤ 5 ka garas, natibuok | ≤ 10 ka mga garas, natipon |
| Hex nga mga palid | maximum 6 nga mga plato, | maximum nga 12 ka mga plato, | N/A, magamit nga lugar > 75% |
| Mga lugar nga Polytype | Wala | Kumulatibo nga lugar ≤ 5% | Kumulatibo nga lugar ≤ 10% |
| Kontaminasyon | Wala | ||
